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16高抑煙型阻燃劑納米氫氧化鎂的制備(bei)及(ji)表(biao)面(mian)處理新方法(fa)17管式熱法(fa)煉鎂生產工藝及(ji)其設備(bei)18過氧化鎂的制備(bei)方法(fa)19活(huo)性氫氧化鎂的調整(zheng)方法(fa)20間接(jie)輕燒。
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2005年3月3日(ri)-二、單晶氧化(hua)鎂(mei)常規生(sheng)(sheng)長技術單晶氧化(hua)鎂(mei)一(yi)般是在大功率,三相(xiang)電弧爐(lu)熔制(zhi),這種方(fang)法的優點:生(sheng)(sheng)產量大,設備結(jie)構簡(jian)單。缺點是:由于石墨(mo)電極(ji)在熔制(zhi)過(guo)程中進入。
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47利用硼(peng)泥生產氧化(hua)鎂單晶的方法(fa)(fa)48用TiO<sub;2</sub;超(chao)細粉(fen)焰熔(rong)法(fa)(fa)人工合(he)(he)成金(jin)紅石單晶的方法(fa)(fa)和(he)設備49一種制備金(jin)屬合(he)(he)金(jin)粉(fen)末(mo)的方法(fa)(fa)50硼(peng)酸鉍晶體的坩堝(guo)下降法(fa)(fa)。
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一種(zhong)高溫超導材料氧化鎂(mei)單晶的生產方法,其特征在于:是通(tong)過以下步(bu)驟實現的:原料制作:礦石-。
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9、低氧化(hua)(hua)(hua)鎂絕熱材(cai)料及其生(sheng)產(chan)方法10、低氧化(hua)(hua)(hua)鎂鎂硅鐵產(chan)品(pin)的生(sheng)產(chan)工藝和設備(bei)1125、利(li)用(yong)硼泥生(sheng)產(chan)氧化(hua)(hua)(hua)鎂單(dan)晶的方法26、利(li)用(yong)余熱爐內焙燒(shao)礦(kuang)石(shi)制取電熔(rong)氧化(hua)(hua)(hua)鎂。
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2012年(nian)8月21日(ri)-注(zhu)意:本(ben)站開通貨(huo)到付款(kuan)業務!詳情(qing)請登陸發財致富網查詢:地址:山東濟南科技市場628-10號(hao)電(dian)話:0531-手(shou)機咨詢1.由菱鎂(mei)礦(kuang)聯合生(sheng)產硫酸鎂(mei)、碳酸鎂(mei)。
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13、硅(gui)基(ji)納米粉(fen)(fen)生產(chan)線輸粉(fen)(fen),收(shou)粉(fen)(fen)設備(bei)14、硅(gui)片和生產(chan)單晶(jing)硅(gui)的(de)方法15、硅(gui)微粉(fen)(fen)和鋯(gao)55200310123644.1用礦熱爐生產(chan)低氧化鎂稀土鈣(gai)鎂硅(gui)鐵合金的(de)冶煉工藝56。
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2011年11月(yue)28日-同步逆(ni)位(wei)煅燒爐生產高活(huo)性氧化鎂張(zhang)國臣,李新平,張(zhang)娟,韓艷敏(1.焦作市霧神化工機械有(you)限公司(si);2.焦作市技師(shi)學(xue)院(yuan))摘要(yao)簡(jian)要(yao)介(jie)紹(shao)了同步逆(ni)位(wei)煅燒爐的(de)原理。
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將生產重質氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)的下腳料送(song)入反應器(qi)(qi),加(jia)入鹽酸進行(xing)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)單晶(jing)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)單晶(jing)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鎂(mei)是指MgO含量在99.95腐蝕性氣(qi)體,從而(er)妨礙救火和(he)人員疏散、腐蝕儀器(qi)(qi)和(he)設備(bei)。
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.0爐外預熱分解制(zhi)取電(dian)熔氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)工藝及(ji)其(qi)設(she)備1402107661.8氨(an)全循(xun)環法(fa)(fa)生產氫氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)和氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)114200680009667.1單(dan)晶氧(yang)(yang)化鎂(mei)(mei)及(ji)其(qi)制(zhi)造方法(fa)(fa)115。
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硅鈣(gai)鋇鎂復合(he)脫氧劑(ji)的生(sheng)產工藝及所使用的設(she)備(0012)氯氧鎂、硅鎂水泥托盤(0013(0035)氧化鎂單晶(jing)蒸鍍材(cai)料及其制造方(fang)法(0036)氫氧化鎂疏松型納米粒子塊(kuai)體阻燃劑(ji)。
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172利(li)用硼泥生產(chan)氧化鎂(mei)單晶(jing)的(de)方法(fa)251一種(zhong)氧化鎂(mei)制備方法(fa)013一種(zhong)制取改性氫080低氧化鎂(mei)鎂(mei)硅鐵產(chan)品的(de)生產(chan)工藝和設備196真空煤炭熱還原(yuan)氧化鎂(mei)礦(kuang)提取金屬鎂(mei)。
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一種利(li)用硼(peng)泥(ni)生(sheng)產(chan)氧化鎂單晶的(de)方法,將硼(peng)泥(ni)經(jing)300-600℃輕(qing)燒處理后,以1∶10-20的(de)固液比,液體為水,在壓力罐中混合,通入(ru)來自(zi)石灰窯的(de)二氧化碳氣(qi),濃度為10-35%,。
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鈦酸鍶(si)單晶基片上外(wai)延生(sheng)長(chang)氧(yang)化鎂納米線的方法(fa)(fa),涉及(ji)微電子材(cai)料領域,特別(bie)涉及(ji)應(ying)用于氧(yang)化物(氧(yang)化鎂)-復合氧(yang)化物(鈦酸鍶(si))異質(zhi)外(wai)延中納米線及(ji)其表面周期(qi)結構的制備(bei)方法(fa)(fa)。
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商品名稱:氧化鎂(mei)單晶(jing)生產資料(圖文(wen)版)剩余時間(jian):開始時間(jian):2014-09-2117:03結束(shu)時間(jian):2014-10-0516:54保修(xiu):無保修(xiu)發(fa)票(piao)(piao):無發(fa)票(piao)(piao)付(fu)款方式:。
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在(zai)單(dan)(dan)晶基(ji)板(ban)上形成(cheng)第(di)三族(zu)氮化(hua)物外延層方法(fa)、制(zhi)品及(ji)設備0008)GaN單(dan)(dan)晶生(sheng)長方法(fa)、GaN商品名(ming)稱:基(ji)板(ban)單(dan)(dan)晶技術(shu)單(dan)(dan)晶氮化(hua)鎵單(dan)(dan)晶基(ji)板(ban)半導(dao)體(ti)氧化(hua)鎂生(sheng)產資料剩余時間:。
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