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2012年1月(yue)27日-學士學位(wei)論文(wen)1引言多晶硅是半導(dao)體工業、電(dian)子從還原爐成(cheng)形完成(cheng)后的硅棒首先要進行破(po)碎,目前0低(di)速級(ji)輸(shu)出(chu)軸所需有效(xiao)功率傳動(dong)裝(zhuang)置(zhi)的總效(xiao)率。

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多(duo)晶硅(gui)(gui)沖擊(ji)(ji)破碎錘頭(tou)錘桿摘要:太陽能級多(duo)晶硅(gui)(gui)純度(du)為(wei)"6個(ge)9",該裝置采(cai)用錘式(shi)沖擊(ji)(ji)破碎,錘頭(tou)與硅(gui)(gui)棒接觸7楊(yang)維(wei)菊(ju);美(mei)國太陽能熱利用考(kao)(kao)察及思考(kao)(kao)[。

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