SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料的硬(ying)度及脆性(xing)(xing)大(da),且化學(xue)穩定(ding)(ding)性(xing)(xing)好,故如何(he)獲得高平面精度的無(wu)損傷(shang)晶片(pian)表面已成為其廣泛應用所必須解決(jue)的重(zhong)要(yao)問題。本論(lun)文(wen)采(cai)用定(ding)(ding)向切(qie)割晶片(pian)的方法,分別研究了(le)。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘(zhai)要(yao):SiC單晶(jing)的材質既(ji)硬且脆,加(jia)(jia)工(gong)難度很(hen)大。本文(wen)介紹了(le)加(jia)(jia)工(gong)SiC單晶(jing)的主(zhu)要(yao)方法,闡(chan)述了(le)其加(jia)(jia)工(gong)原理(li)、主(zhu)要(yao)工(gong)藝參數對加(jia)(jia)工(gong)精度及效率的影響,提出了(le)加(jia)(jia)工(gong)SiC單晶(jing)片今(jin)后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝(yi)(yi)符(fu)永宏祖權紀敬虎(hu)楊東(dong)燕符(fu)昊(hao)摘要(yao):采用聲光調Q二極(ji)管泵浦(pu)Nd:YAG激光器,利用"單脈沖同點間(jian)隔(ge)多(duo)次"激光加工工藝(yi)(yi),。
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由于SiC硬度(du)非常高,對單(dan)晶后續(xu)的加工造(zao)成(cheng)很多困難,包括切割(ge)和磨拋.研究發現(xian)利用圖中顏色(se)較深的是摻氮條紋,晶體(ti)生(sheng)長45h.從上(shang)述移(yi)動坩堝萬方(fang)數據812半導(dao)體(ti)。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要(yao):SiC陶瓷(ci)以(yi)其(qi)優異的性能得到(dao)廣(guang)泛(fan)的應(ying)用,但(dan)是(shi)其(qi)難以(yi)加(jia)工的缺點限(xian)制了(le)(le)應(ying)用范圍(wei)。本文(wen)對(dui)磨(mo)削(xue)方法加(jia)工SiC陶瓷(ci)的工藝參數進行了(le)(le)探討,其(qi)工藝參數為組合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日(ri)(ri)-LED半導(dao)體(ti)照明(ming)網訊日(ri)(ri)本上市公(gong)司薩姆肯(Samco)發布了新型晶片盒生產蝕刻系統(tong),處理SiC加(jia)(jia)工,型號為(wei)RIE-600iPC。系統(tong)主要應用在(zai)碳化硅(gui)功(gong)率儀器平(ping)面加(jia)(jia)工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上市(shi)公司薩(sa)姆肯(Samco)發布了新型晶片盒生產蝕刻(ke)系統(tong),處理SiC加工,型號為(wei)RIE-600iPC。系統(tong)主要應用在碳化硅功率(lv)儀器(qi)平面加工、SiCMOS結構槽(cao)刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂紋加工質量(liang)摘(zhai)要:SiC是第三代(dai)半導體(ti)材料(liao)的(de)核(he)心之一,廣泛用于(yu)制作電子器(qi)件,其加工質量(liang)和精度直接(jie)影響到(dao)器(qi)件的(de)性能(neng)。SiC晶體(ti)硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)聲光調Q二極管泵浦Nd:YAG激光器,利用(yong)“單脈沖(chong)同(tong)點間隔多次”激光加工(gong)工(gong)藝,對碳化(hua)硅機械密封(feng)試(shi)(shi)樣端面進行激光表面微織構的(de)加工(gong)工(gong)藝試(shi)(shi)驗(yan)研究.采(cai)用(yong)Wyko-NTll00表面。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條(tiao)符合-SiC的(de)查詢(xun)結果。您可以在阿里巴巴公司黃頁搜索到關(guan)于-SiC生產(chan)商的(de)工(gong)商注冊年份、員(yuan)工(gong)人(ren)數(shu)、年營業額、信用記錄、相關(guan)-SiC產(chan)品的(de)供求信息、交易記錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國(guo)供(gong)(gong)應商免費提供(gong)(gong)各(ge)(ge)類(lei)sic碳化硅批(pi)發(fa),sic碳化硅價格,sic碳化硅廠家信(xin)息,您也(ye)可以在(zai)這里免費展(zhan)示銷售sic碳化硅,更有機會通過各(ge)(ge)類(lei)行業(ye)展(zhan)會展(zhan)示給需求方!sic碳化硅商機盡在(zai)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石(shi)多線切割設備在SiC晶片(pian)加(jia)工中(zhong)的(de)應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全文(wen)下(xia)載全文(wen)導出添加(jia)到引用通知分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年(nian)3月17日-SiC陶瓷與鎳基高溫合金(jin)的熱壓(ya)反應(ying)燒結(jie)連(lian)接段輝平李樹杰張永剛劉深張艷黨紫九劉登(deng)科(ke)摘要(yao):采用Ti-Ni-Al金(jin)屬復合焊料粉末(mo),利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具(ju)加工SiC顆粒增(zeng)強鋁基復合材料的(de)公(gong)道(dao)切削速(su)度〔摘要〕通過用掃(sao)描電鏡(jing)等方式檢測PCD刀具(ju)的(de)性(xing)能,并與(yu)自然金剛(gang)石(shi)的(de)相關參(can)數進行比(bi)較,闡明了PCD刀具(ju)的(de)優異性(xing)能。
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石(shi)墨SiC/Al復合(he)(he)材(cai)料(liao)(liao)壓力浸(jin)滲力學性(xing)(xing)能加工(gong)性(xing)(xing)能關鍵(jian)詞:石(shi)墨SiC/Al復合(he)(he)材(cai)料(liao)(liao)壓力浸(jin)滲力學性(xing)(xing)能加工(gong)性(xing)(xing)能分(fen)類號:TB331正(zheng)文快照:0前言siC/。
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[圖文]2012年11月(yue)29日-為(wei)了(le)研究磨(mo)(mo)(mo)削(xue)(xue)工藝(yi)(yi)參(can)數對(dui)SiC材(cai)料磨(mo)(mo)(mo)削(xue)(xue)質量的(de)影響(xiang)規律(lv),利用(yong)DMG銑磨(mo)(mo)(mo)加工做了(le)SiC陶瓷平面(mian)磨(mo)(mo)(mo)削(xue)(xue)工藝(yi)(yi)實驗,分析研究了(le)包括主軸轉速(su)、磨(mo)(mo)(mo)削(xue)(xue)深度(du)、進(jin)給速(su)度(du)在內的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微(wei)納(na)設計與加工技(ji)術、SiCMEMS技(ji)術、微(wei)能源技(ji)術微(wei)納(na)設計與加工技(ji)術微(wei)納(na)米加工技(ji)術:利用深刻蝕加工技(ji)術,開發(fa)出適合于大規(gui)模(mo)加工的高精(jing)度微(wei)納(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文(wen)]SiC晶(jing)體生長和加工(gong)(gong)SiC是(shi)重要的寬禁(jin)帶半導(dao)體,具有高熱導(dao)率、高擊穿(chuan)場強(qiang)等特(te)性和優勢,是(shi)制(zhi)作高溫、高頻、大(da)功(gong)率、高壓以(yi)及(ji)抗輻射電子(zi)器件的理想材料,在軍(jun)工(gong)(gong)、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡單地介紹了發光(guang)二極管的(de)(de)發展歷程(cheng),概(gai)述了LED用(yong)SiC襯(chen)底的(de)(de)超(chao)精密研(yan)磨技術(shu)的(de)(de)現狀(zhuang)及發展趨勢(shi),闡述了研(yan)磨技術(shu)的(de)(de)原理(li)、應(ying)用(yong)和(he)優勢(shi)。同時結合實(shi)驗室(shi)X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日(ri)-磨料是(shi)用于磨削加工和(he)制做(zuo)磨具的(de)(de)一(yi)種基礎材料,普通磨料種類主要有(you)剛玉和(he)1891年美國卡不倫(lun)登公(gong)司的(de)(de)E.G艾(ai)奇遜用電(dian)阻(zu)爐人工合成并發明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩擦(ca)加工SiC復合(he)層對鎂合(he)金摩擦(ca)磨損性能的影(ying)響分(fen)享到:分(fen)享到QQ空間收(shou)藏(zang)推薦鎂合(he)金是目前輕的金屬(shu)結構材(cai)料,具有密度(du)低、比強度(du)和比剛度(du)高、阻尼減震性。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了(le)半導體(ti)材料SiC拋(pao)光(guang)技術的(de)發展,介紹了(le)SiC單晶(jing)片(pian)CMP技術的(de)研究現狀,分(fen)析了(le)CMP的(de)原理(li)和工藝參數對拋(pao)光(guang)的(de)影響,指出了(le)SiC單晶(jing)片(pian)CMP急待解決的(de)技術和理(li)論問題,并(bing)對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國內率先完成1.3m深焦比輕質非球面反射鏡的研究(jiu)工作,減(jian)重比達到65%,加工精(jing)度優(you)于17nmRMS;2007年研制(zhi)成功1.1m傳輸型(xing)詳(xiang)查相機(ji)SiC材料(liao)離軸非球面主鏡,加工。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日-近日,三(san)菱電(dian)機(ji)宣布(bu),開發出了(le)能夠一次(ci)將一塊(kuai)多晶(jing)碳化硅(SiC)錠切(qie)割成(cheng)40片(pian)SiC晶(jing)片(pian)的多點放(fang)電(dian)線切(qie)割技(ji)術。據悉,該技(ji)術有(you)望提高SiC晶(jing)片(pian)加工的生產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑范(fan)圍:200微米(mi)—1500微米(mi);孔(kong)(kong)徑精(jing)度:≤2%孔(kong)(kong)徑;深寬/孔(kong)(kong)徑比:≥20:1(3)飛秒激光數控機(ji)床的(de)微孔(kong)(kong)加工(gong)工(gong)藝:解決戰(zhan)略型CMC-SiC耐(nai)高溫(wen)材料微孔(kong)(kong)(直(zhi)徑1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝市車船(chuan)機(ji)電有(you)限公(gong)司(si)(si)csic衛輝市車船(chuan)機(ji)電有(you)限公(gong)司(si)(si)是(shi)中國船(chuan)舶(bo)重工(gong)集團公(gong)司(si)(si)聯營是(shi)否(fou)提供加工(gong)/定制服(fu)務:是(shi)公(gong)司(si)(si)成立時間:1998年公(gong)司(si)(si)注冊地(di):河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激光加工激光熔(rong)覆陶瓷(ci)涂層(ceng)耐(nai)腐蝕性極化曲線關鍵字:激光加工激光熔(rong)覆陶瓷(ci)涂層(ceng)耐(nai)腐蝕性極化曲線采用激光熔(rong)覆技術,在45鋼(gang)表面對含量不同(tong)的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研(yan)發了SiC晶片加工工藝(yi):選(xuan)取適(shi)當種(zhong)類、粒度、級配的(de)磨料和(he)加工設備來切割(ge)、研(yan)磨、拋(pao)光、清洗和(he)封(feng)裝的(de)工藝(yi),使(shi)產(chan)品達到了“即開即用(yong)”的(de)水(shui)準(zhun)。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非(fei)球面SiC反射鏡的精(jing)密銑(xian)磨加(jia)工技術,張(zhang)志宇;李銳(rui)鋼;鄭立功;張(zhang)學軍;-機械工程學報2013年第17期在線閱讀、文章下載。<正;0前(qian)言1環繞地球軌道(dao)運行的空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月(yue)25日(ri)-加(jia)(jia)(jia)工(gong)電流非常小,Ie=1A,加(jia)(jia)(jia)工(gong)電壓為(wei)170V時,SiC是加(jia)(jia)(jia)工(gong)的,當(dang)Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另(ling)外,Iwanek還得出了(le)“臨(lin)界電火花加(jia)(jia)(jia)工(gong)限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)(tao)瓷軸承;陶(tao)(tao)瓷噴(pen)嘴(zui);sic密封件(jian);陶(tao)(tao)瓷球;sic軸套;陶(tao)(tao)瓷生產(chan)加(jia)工(gong)機械;軸承;機械零部(bu)件(jian)加(jia)工(gong);密封件(jian);陶(tao)(tao)瓷加(jia)工(gong);噴(pen)嘴(zui);噴(pen)頭;行業(ye)類別:計算機產(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本(ben)文(wen)對IAD-Si膜層的(de)微觀結構、表面形(xing)貌及抗熱振蕩性(xing)能(neng)進行(xing)了研究(jiu),這不僅對IAD-Si表面加(jia)工具有指導意(yi)義,也能(neng)進一步證明RB-SiC反(fan)射鏡表面IAD-Si改性(xing)技(ji)術的(de)。