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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮化(hua)鋁陶瓷常壓燒(shao)結致密(mi)化(hua)抗水性自擴散系數(shu)小,通常需(xu)要熱壓燒(shao)結才能(neng)制備(bei)出高致密(mi)的氮化(hua)鋁陶瓷2.2實驗儀器設備(bei)和(he)原(yuan)料31-322.3實驗方法32-332.3。

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氮化鋁陶瓷導熱(re)性(xing)能(neng)良(liang)好,是集成電路基板(ban)和(he)電子封(feng)裝的理想材(cai)料(liao)。但氮化鋁為強(qiang)共價鍵結(jie)合物(wu),熔點高,自擴散系數小(xiao),通常(chang)需(xu)要熱(re)壓燒(shao)結(jie)才能(neng)制備出高致密的氮化鋁陶瓷。并且。

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氮(dan)化鋁(AlN)燒結(jie)爐溫度均(jun)勻(yun)性(xing)批量(liang)生產《電子工業專用設備》2010年(nian)06期加入(ru)收(shou)藏(zang)投稿氮(dan)化鋁尤其是在氮(dan)化鋁陶瓷批量(liang)生產過程中,陶瓷燒結(jie)爐的溫度不均(jun)勻(yun)。

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但近幾年國際上很多國家在(zai)重(zhong)視AlN基(ji)片材(cai)料研發(fa)工作(zuo)的同時(shi),對氮化鋁(lv)陶(tao)瓷燒結爐(lu)的制(zhi)備(bei)也越來越重(zhong)視,由此(ci)孕育出一些(xie)專業的氮化鋁(lv)陶(tao)瓷燒結設備(bei)制(zhi)造商,尤其是(shi)美國和日本(ben)。

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本(ben)文(wen)通過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添(tian)加劑(ji)(ji),研究不同添(tian)加劑(ji)(ji)對注射成(cheng)型低溫(wen)燒結AlN提高致密度和(he)(he)熱導率的作用(yong)。實驗結果(guo)表明(ming),使用(yong)Li2CO3,CaF2和(he)(he)Y2O3。

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采(cai)用微波(bo)高(gao)溫燒(shao)(shao)結(jie)工藝,制備了致(zhi)密的AlN陶(tao)瓷(ci)(ci),并初(chu)步探討了微波(bo)燒(shao)(shao)成環(huan)境對燒(shao)(shao)結(jie)體燒(shao)(shao)結(jie)陶(tao)瓷(ci)(ci)加工陶(tao)瓷(ci)(ci)相(xiang)陶(tao)瓷(ci)(ci)量塊陶(tao)瓷(ci)(ci)英(ying)語陶(tao)瓷(ci)(ci)機(ji)械陶(tao)瓷(ci)(ci)件陶(tao)瓷(ci)(ci)帽陶(tao)瓷(ci)(ci)設備。

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微波燒結設備主(zhu)要應用于燒結各(ge)種高品質的陶(tao)瓷(ci)、氮化(hua)硅、碳(tan)化(hua)硅、氧化(hua)鋁(lv)、氮化(hua)鋁(lv)、氧化(hua)鋯等;燒結電子(zi)陶(tao)瓷(ci)器件:PZT壓電陶(tao)瓷(ci)、壓敏電阻等。所謂(wei)微波燒結或微波燃燒合成。

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產品(pin)規格:氮化鋁(lv)燒(shao)結爐(lu)產品(pin)數量:0.00包(bao)裝(zhuang)說(shuo)明:價格說(shuo)明:面議美國ANT公司提供的(de)(de)設備具有(you)全自動、閉環(huan)控制的(de)(de)特(te)點(dian),保(bao)證產品(pin)的(de)(de)成品(pin)率和一(yi)致(zhi)性(xing)。

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供應(ying):燒結(jie)氮(dan)化(hua)鋁(工藝技術(shu)資料(liao)配方圖(tu)紙參數)光盤(pan)當前價格:200.00元1-BG52096含(han)碳的氮(dan)化(hua)鋁燒結(jie)體以及用于半導體制造檢測設備的陶(tao)瓷基材(cai)2-BG。

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一(yi)種氮(dan)化鋁(lv)陶瓷的(de)低溫燒(shao)結,包(bao)括氮(dan)化鋁(lv)起始粉料選(xuan)擇(ze)(ze),添加物的(de)選(xuan)擇(ze)(ze)以(yi)及(ji)燒(shao)結工藝參數的(de)選(xuan)擇(ze)(ze)。其特征在于:(1)以(yi)碳熱(re)還原法及(ji)高溫自蔓延合成法制(zhi)備的(de)AlN粉體(ti)為起始。

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微(wei)波燒結設(she)備紙箱刀具綠(lv)碳化(hua)硅(gui)砂倒角刀具優(you)質刀具泰珂洛刀具導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉/氮(dan)化(hua)鋁(lv)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)粉導(dao)熱(re)/導(dao)熱(re)粉/氮(dan)化(hua)鋁(lv)/氮(dan)化(hua)鋁(lv)粉填充/填充劑(ji)/。

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本(ben)發(fa)明(ming)目的(de)(de)(de)是提(ti)供(gong)一(yi)種能保(bao)(bao)持10#+〔8〕Ω.cm或更大的(de)(de)(de)體積電阻(zu)率的(de)(de)(de)氮(dan)化鋁燒(shao)結體,能保(bao)(bao)證覆蓋能力,大的(de)(de)(de)輻(fu)射(she)熱量和用溫度(du)(du)顯示器測定時的(de)(de)(de)準(zhun)確度(du)(du)。本(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)含(han)碳氮(dan)化。

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一種(zhong)氮化(hua)鋁燒結體,其特征(zheng)在于包含1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元(yuan)素(su)、Ca、Sr、Ba中(zhong)選擇的少(shao)。

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[圖文]3.2.5高(gao)壓(ya)設備的高(gao)精度控制系統3.2.6腔體(ti)介(jie)質材料的選擇3.2.7加熱(re)源石墨3.3高(gao)壓(ya)燒結(jie)腔體(ti)設計3.4高(gao)壓(ya)燒結(jie)AlN陶瓷制備工藝流(liu)程3.4.1高(gao)壓(ya)燒結(jie)AlN。

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本(ben)發(fa)明提供一種高純度氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒(shao)結體(ti),其在氮(dan)化(hua)鋁(lv)燒(shao)結體(ti)制(zhi)造時,有效地除(chu)去原料粉末中所(suo)含的氧(yang)化(hua)物,且通過(guo)原料粉末中所(suo)含的氧(yang)化(hua)物與燒(shao)結助(zhu)劑反(fan)應來防止生成(cheng)的復合氧(yang)化(hua)。

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熱壓燒(shao)結(jie)(jie)(jie)AlN陶(tao)瓷(ci),以自(zi)蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉(fen)體為原料(liao),以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系為燒(shao)結(jie)(jie)(jie)助劑(ji),采(cai)用熱壓燒(shao)結(jie)(jie)(jie)工藝制(zhi)備(bei)AlN陶(tao)瓷(ci)。結(jie)(jie)(jie)果表明(ming),采(cai)用燒(shao)結(jie)(jie)(jie)助劑(ji),在。

AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士

本論(lun)文探索了AlN陶瓷(ci)的(de)燒結技術,利(li)用本實驗(yan)室原(yuan)位合成(cheng)技術合成(cheng)的(de)AlN粉末制備(bei)出(chu)了高致密,高導(dao)熱的(de)AlN陶瓷(ci)。研究了AlN陶瓷(ci)的(de)常壓燒結技術。通過熱力學條件和相圖的(de)。

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41、含碳的氮化(hua)鋁燒(shao)結體以及用(yong)于半(ban)導體制造檢測設備的陶(tao)瓷(ci)基材(cai)收錄氮化(hua)鋁陶(tao)瓷(ci)相關期(qi)刊文(wen)獻151項1、海門建成氮化(hua)硅陶(tao)瓷(ci)基地2、高(gao)壓氮氣中自蔓延燃燒(shao)合成氮化(hua)鋁。

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